瞄准SiC MOS出货量飙升，五大策略应对市场挑战
2024-01-30回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？ 为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。 本期嘉宾是飞锃半导体CEO 周永昌。接下来还将有更多的领军企业参与《行家瞭望》，敬请期待。 出货量突破2400万颗拓展车载OBC、光储应用 行家说三代半：2023年贵公司取得了哪些成绩？ 周永昌：2023年我们公司在多个方面取得了不错的成绩： ●首先是碳化硅器件的出货量。 截
理论性能远超SiC？GaN功率二极管的发展历程
2024-01-26电子发烧友网报道（文/梁浩斌）氮化镓功率器件的大规模应用，是从2018年开始的。自手机快充功能在市场上迅速普及，经过数年的发展，氮化镓HEMT器件早已被广泛应用到快速充电器等应用中。当然在此之前，氮化镓在半导体领域还是主要被用于光电领域以及射频领域。比如蓝、绿、白光LED、蓝紫光激光器等，射频领域的大功率功放管、PA、MMIC等，氮化镓都是重要材料之一。不过如果聚焦功率领域，可以发现氮化镓与碳化硅不同之处在于，碳化硅市场上有晶体管和二极管两种类型的器件，而氮化镓目前的功率产品主要是HEMT，几
英飞凌与Wolfspeed延长SiC晶圆供应协议
2024-01-26半导体产业网讯：1月23日，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司与全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed 公司宣布扩大并延伸现有的长期 150mm 碳化硅晶圆供应协议（原先的协议签定于 2018 年 2 月）。延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议。这将有助于保证英飞凌整个供应链的稳定，同时满足汽车、太阳能、电动汽车充电应用、储能系统等领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。 英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“为了满足不断增长的碳化硅器件需求，我
科友提前布局：SiC行业下半场是8吋时代
2024-01-26获6亿订单，8吋SiC率先量产衬底综合成本低30-40% 行家说三代半：2023年贵公司取得了哪些成绩？ 赵丽丽：2023年科友半导体取得的成绩包括： SiC订单大幅增长 截止到2023年12月底，科友实现销售定单逾6亿元人民币，实现“当年投产即当年量产”。 SiC出口取得突破性进展 我们与客户签署了向欧洲的出口设备和材料亿元订单，目前该出口合同已经进入履约阶段，标志着科友半导体已率先在8英寸SiC衬底方面实现出货和突围，为加快我国碳化硅衬底产能投资向效益的转变、国产碳化率衬底抢占行业先机、角
SiC规模将超560亿？
2024-01-26行家说《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》于2023年12月13日正式发布，近日《白皮书》的试读尝鲜版也正式上线了。 《白皮书》由行家说Research、行家说三代半联合众多碳化硅半导体行业领军企业协同编写，特别鸣谢三安半导体、意法半导体、烁科晶体、天岳先进、科友半导体、普兴电子、安海半导体、国星光电、北方华创、恒普技术、中国电科48所、北京中电科、中电科风华、华卓精科、快克芯、凯威、泰坦未来、合盛新材料、天成半导体、集芯先进、国碳半导体、基本半导体、中科汉韵、蓉矽半导体、南方半导体、山
安建半导体推出1200V-17mΩ SiC MOSFET
2024-01-21产品介绍 安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。 产品特点 ● 开关速度快 ●栅极电荷低 ● 雪崩耐量高 ● 短路能力强 ● 可靠性高 应用领域 ● 电动汽车 ● 太阳能逆变器 ● 储能系统 ● 不间断电源 产品性能 安建半导体对此款自研SiC MOSFET产品做了动静态、短路、雪崩耐量（UIS），可靠性等测试，性能参数与国际竞品相当。雪崩耐量为国际
意法半导体与致瞻科技就SiC达成合作！
2024-01-20今日（1月18日），意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。 根据意法半导体的披露，采用高能效的控制器可为新能源汽车带来诸多益处，以动力电池容量60kWh~90kWh的中型电动汽车为例，续航里程可延长5到10公里，在夏冬两季的效果尤为明显。 致瞻科技是目前全球唯一一家在新能源汽车400V、800V、1000V平台上成熟量产基
英飞凌再添一家SiC晶圆供应商
2024-01-20近日，英飞凌与SiC晶圆供应商韩国SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式签署了一项协议。 根据协议，SK Siltron CSS将向英飞凌提供6英寸SiC晶圆，用于SiC半导体的生产。下一阶段，SK Siltron CSS将协助英飞凌向8英寸SiC晶圆过渡。 据悉，SK Siltron CSS公司为SK Siltron集团旗下拥有SiC材料产能的子公司，其前身为美国杜邦公司的SiC晶圆部门，2020年被SK Siltron所收购以支持该集团的电动汽车业务。 成立近70
10亿元、25万片！江苏新增一SiC项目
2024-01-20今天，国内又新增1个SiC衬底项目；2024一开年，国内就有7个SiC项目传新进展，详情请往下看。 博蓝特：新建SiC衬底项目 今天（1月18日），据“丹阳延陵镇”消息，江苏省丹阳市延陵镇或将引进1个碳化硅衬底项目，项目建设方为浙江博蓝特半导体。 据介绍，延陵镇党委书记张金伟于今天会见了博蓝特董事长徐良等一行，并陪同他们实地考察了位于凤凰工业园区的2宗地块。 考察中，双方就博蓝特第三代半导体碳化硅衬底项目落地延陵镇进行了深度洽谈，博蓝特计划在延陵镇投资10亿元建设年产25万片的6-8英寸碳化硅
一文了解碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术
2024-01-16本文从晶体结构、发展历史、制备方法等角度详细介绍SiC SiC 晶体的结构及性质 SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。 举个例子，Si原子直径大，相当于苹果，C原子直径小，相当于橘子，把数量相等的橘子和苹果堆在一起就成了SiC晶体。 SiC 是一种二元化合物，其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å，这个间距如何理解呢？目前市面上最牛逼的光刻机光刻精度3nm，就是30Å的距离，光刻精度是