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近日，Nexperia（安世半导体）凭借其在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）领域的杰出表现，荣获两项权威大奖：“SiC年度优秀产品奖”和“中国GaN功率器件十强”。这一荣誉充分展示了安世半导体作为基础半导体全球领导者的强大实力，以及其在三代半领域的深厚积累。 安世半导体一直致力于投资和研发自有氮化镓工艺技术。目前，其遍布全球的自有化生产基地已经能够提供真正车规级AEC-Q101认证的产品，展现出业界领先的技术实力。新一代的安世半导体氮化镓（HEMTs）在导通电阻、开关稳定性以及动态性能等方面